Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S30P05SM
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S30P05SM
RF1S30P05SM Hakkında
RF1S30P05SM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-channel power MOSFET transistörüdür. 50V drain-source gerilimi ve 25°C'de 30A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj pakajında sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Motor kontrol, güç kaynakları, pil yönetim sistemleri ve diğer DC/DC dönüştürücü devrelerde yaygın olarak yer alır. Metal oksit teknolojisi ile üretilen MOSFET, hızlı anahtarlama işlemleri ve düşük statik güç tüketimi gerektiren uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok