Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S25N06SM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S25N06SM
RF1S25N06SM Hakkında
RF1S25N06SM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 25A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 60V drenaj-kaynak gerilimi ile tasarlanan bu komponent, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan RF1S25N06SM, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve elektriksel yük anahtarlamalarında yaygın olarak uygulanır. Metal Oxide Semiconductor teknolojisine dayalı tasarımı, düşük açık direnci ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile endüstriyel ve tüketici elektronik sistemlerinde güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok