Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S23N06LESM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S23N06LE
RF1S23N06LESM Hakkında
RF1S23N06LESM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 60V drain-source voltaj ve 25°C'de 23A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Metal oksit yarıiletken teknolojisine dayanan bu bileşen, güç anahtarlaması uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile sağlanan bu transistör, düşük RDS(on) direnci ve yüksek akım taşıma kapasitesi nedeniyle endüstriyel elektronik ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Aktif parça statüsü ile mevcut olup, güvenilir performans ve uzun ömür sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok