Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S22N10SM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S22N10SM
RF1S22N10SM Hakkında
RF1S22N10SM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilim ve 25°C'de 22A sürekli Drain akımı kapasitesine sahiptir. Metal Oxide (MOSFET) teknolojisine dayanır ve TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulur. Bu transistör, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücü devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç amplifikasyon sistemlerinde kullanılır. Geniş Vdss aralığı ile orta güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok