Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1S17N06LSM
LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1S17N06LSM
RF1S17N06LSM Hakkında
RF1S17N06LSM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. Logic level gate uygulamaları için tasarlanmış bu komponent, 5V kontrol sinyalleri ile çalışmaktadır. 60V Drain-Source gerilimi ve 25°C'de 17A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan cihaz, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketi ile gelen komponent, kompakt tasarımlar için uygundur. Aktif ürün statüsüne sahip olan transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok