Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1K4915796
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1K4915796
RF1K4915796 Hakkında
RF1K4915796, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 6.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek verimli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan RF1K4915796, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve LED sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 2W güç tüketimi sınırlandırmasına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1575 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok