Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1K49157
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1K49157
RF1K49157 Hakkında
RF1K49157, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj derecesiyle ve 6.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında 30mΩ maksimum RDS(on) değerine sahip bu transistör, anahtarlama devrelerinde, motor sürücülerinde, güç kaynakları ve DC-DC konverterlerinde yaygın olarak uygulanır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 88nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1575 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok