Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RF1K49156

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
RF1K49156

RF1K49156 Hakkında

RF1K49156, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi, 6.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 5V gate sürüş gerilimi ile mantık seviyesi kontrollü anahtarlama sağlar. 30mΩ maksimum Rds(On) değeri ve 65nC gate yükü ile düşük güç kaybı ve hızlı anahtarlama özelliği sunar. Surface mount 8-SOIC pakette sunulan bileşen, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, solenoid sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2030 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.3A, 5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok