Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1K4909396
RF1K4909396 - POWER FIELD-EFFECT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1K4909396
RF1K4909396 Hakkında
RF1K4909396, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-channel power field-effect transistöredır. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 12V Drain-to-Source gerilimi ve 2.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 5V gate geriliminde 130mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük gate charge (24nC @ 10V) özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama, konum kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 775pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.5A, 5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok