Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RF1K4909096
RF1K4909096 - POWER FIELD-EFFECT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RF1K4909096
RF1K4909096 Hakkında
RF1K4909096, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel power field-effect transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 3.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 12V drain-source gerilimi desteği ve 50mOhm (5V, 3.5A koşullarında) RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 2W maksimum güç yayınlayabilir. Düşük gate charge (25nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.5A, 5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok