Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RDX120N50FU6
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RDX120N50FU
RDX120N50FU6 Hakkında
RDX120N50FU6, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu komponent, maksimum 45W güç dissipasyonu ve 500mΩ (10V, 6A'da) on-state direnciyle çalışır. ±30V maksimum gate gerilimi aralığında kontrol edilebilen transistör, güç kaynakları, şarj cihazları, motor kontrolü ve güç dönüşüm devrelerinde uygulanabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışır. 45nC gate charge ve 1600pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Through-hole montaj türüne sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok