Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RDX050N50FU6

MOSFET N-CH 500V 5A TO220FM

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
RDX050N50

RDX050N50FU6 Hakkında

RDX050N50FU6, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220 paketinde gelen bu bileşen, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilmektedir. 1.5Ω RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 35W güç dağıtabilir. Endüstriyel ve consumer elektronik uygulamalarında trafo kontrolleri, LED sürücüleri ve güç kaynakları tasarımlarında yaygın olarak yer almaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok