Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RDX045N60FU6
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RDX045N60FU6
RDX045N60FU6 Hakkında
RDX045N60FU6, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 4.5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve endüstriyel elektrik kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 2.1Ω on-state direnci (Rds On) ile verimli iletim sağlar. Maximum 150°C çalışma sıcaklığında 35W güç dağıtabilir. Gate threshold voltajı 4V olarak belirlenmiştir. ±30V maksimum gate-source voltajı için tasarlanmıştır. Doğru akım kaynakları, AC-DC konvertörleri ve güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 2.25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok