Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RDR005N25TL
MOSFET N-CH 250V 500MA TSMT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-96
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RDR005N25TL
RDR005N25TL Hakkında
RDR005N25TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TSMT3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 8.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direncine sahiptir. Gate açılış voltajı (Vgs(th)) 3V olup, ±20V maksimum gate geriliminde çalışabilir. 3.5nC gate yükü ve 70pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Maksimum 540mW güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 70 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-96 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 540mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8Ohm @ 250mA, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok