Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RDN150N20FU6
MOSFET N-CH 200V 15A TO220FN
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RDN150N20FU6
RDN150N20FU6 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RDN150N20FU6, 200V drain-source voltaj kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. Sürekli 15A drain akımı ile tasarlanmış bu bileşen, 160mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında düşük kaybı sağlar. TO-220-3 Through Hole paketinde sunulan transistör, indüktif yüklerin kontrolü, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına dayanıklı olup, ±30V gate voltaj aralığında güvenli bir şekilde çalışır. 64nC gate charge ve 1224pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun özellikleri gösterir. Maksimum 40W güç disipasyonu kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1224 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok