Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RDN120N25
MOSFET N-CH 250V 12A TO220FN
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RDN120N25
RDN120N25 Hakkında
RDN120N25, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-220-3 paketlemesi ile montajı kolaydır. 210mOhm maksimum on-state direnci ve 62nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. ±30V gate gerilim aralığında çalışır ve 150°C junction sıcaklığına kadar dayanıklıdır. AC-DC konverterler, DC-DC konverterler, motor kontrol devreleri ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. Not: Ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1224 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok