Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RDN100N20FU6
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RDN100N20FU
RDN100N20FU6 Hakkında
RDN100N20FU6, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim, 10A sürekli drain akımı ve 35W güç dağılımı kapasitesi ile çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenli bir şekilde işletilir. 360mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate-source gerilimi ±30V arasında kontrol edilebilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. Kaynak sürücü, invertör ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 543 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok