Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RDN100N20
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RDN100N20
RDN100N20 Hakkında
RDN100N20, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajı ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 360mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim karakteristiğine sahiptir. ±30V gate-source gerilimi aralığı ve 30nC gate charge ile hızlı anahtarlama davranışı gösterir. 150°C maksimum junction sıcaklığı ve 35W güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, enerji yönetimi ve anahtar modlu beslenme kaynakları gibi uygulamalara uygundur. Through-hole montaj tipi tercihli uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 543 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok