Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RDN080N25FU6
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RDN080N25
RDN080N25FU6 Hakkında
RDN080N25FU6, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 500mΩ maksimum RDS(On) değeri ile enerji kaybını sınırlandırır ve 35W güç yayılımı kapasitesi sağlar. ±30V gate-source gerilimi aralığında çalışır, -40°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 543 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok