Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RDD050N20TL
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RDD050N20TL
RDD050N20TL Hakkında
RDD050N20TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj ve 5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 720mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. 9.3nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±30V gate-source voltaj aralığında çalışabilir, maksimum 20W güç tüketimi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 292 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 720mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok