Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RDD022N60TL
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RDD022N60TL
RDD022N60TL Hakkında
RDD022N60TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 6.7Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 150°C'ye kadar çalışabilir ve maksimum 20W güç dağıtabilir. Gate threshold gerilimi 4.7V olup ±30V gate kontrol gerilimi aralığında çalışır. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.7V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok