Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RDD022N50TL
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RDD022N50TL
RDD022N50TL Hakkında
RDD022N50TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 2A sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 5.4Ohm maksimum RDS(on) değeri ile gate sürülmesi için 10V gerilim kullanılır. Gating işlemi için 6.7nC gate yükü gereklidir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 20W güç tüketebilir. MOSFET teknolojisine dayalı bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi görmek için tasarlanmıştır. Endüstriyel güç yönetimi, invertör devreleri ve AC/DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 168 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.7V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok