Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RDD020N60TL
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RDD020N60TL
RDD020N60TL Hakkında
RDD020N60TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşenidir. TO-252 (DPak) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, ±30V gate gerilimi aralığında çalışır. 150°C maksimum junction sıcaklığına ve 20W güç yayılımına dayanıklıdır. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok