Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3U080CNTL1
MOSFET N-CH 250V 8A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3U080CNTL1
RD3U080CNTL1 Hakkında
RD3U080CNTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, AC/DC konverterlerde, motor kontrol devrelerinde ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 300mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük sürüş kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 85W maksimum güç dağılımı kapasitesi, zorlu ortam koşullarındaki uygulamalar için uygun bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1440 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok