Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3U060CNTL1

MOSFET N-CH 250V 6A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3U060CNTL1

RD3U060CNTL1 Hakkında

RD3U060CNTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketlemesi sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun kompakt boyutlara sahiptir. 530mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıpları düşüktür. Endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok