Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3U041AAFRATL
MOSFET N-CH 250V 4A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3U041AA
RD3U041AAFRATL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RD3U041AAFRATL, 250V drain-source voltaj kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistöründür. TO-252 (DPak) kasa tipi ile surface mount uygulamalarına uygun olup, 4A sürekli drain akımı sağlayabilir. 1.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı özelliği vardır. 10V gate drive voltajında çalışır ve ±30V maksimum gate-source voltajı tolere eder. Maksimum 29W güç dissipasyonu kapasitesiyle, güç anahtarlama uygulamalarında, AC-DC konverterlerinde, LED sürücülerinde ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok