Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3T100CNTL1
MOSFET N-CH 200V 10A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3T100CNTL1
RD3T100CNTL1 Hakkında
RD3T100CNTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilim, 10A sürekli dren akımı ve TO-252 (DPak) kapsülemesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 182mOhm maksimum on-state direnci (10V gate gerilimi, 5A akımda) ve 85W maksimum güç dağılımı ile anahtarlama ve güç yönetimi devreleri, motor kontrolörleri, güç kaynakları ve endüstri otomasyonu uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok