Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3T075CNTL1

MOSFET N-CH 200V 7.5A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3T075CNTL1

RD3T075CNTL1 Hakkında

RD3T075CNTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli akım kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketlemesi sayesinde kompakt devre tasarımları için uygundur. 325mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Güç dönüştürme, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır, endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 755 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 325mOhm @ 3.75A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.25V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok