Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3S100AAFRATL
MOSFET N-CH 190V 10A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3S100AA
RD3S100AAFRATL Hakkında
RD3S100AAFRATL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 190V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 4V-10V drive voltajında maksimum 182mOhm RDS(on) değerine sahiptir. 85W güç yayılım kapasitesi ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, DC-DC konvertörlerde ve enerji yönetim sistemlerinde uygulanır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Surface mount montajı için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 190 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok