Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3S075CNTL1
MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3S075CNTL1
RD3S075CNTL1 Hakkında
RD3S075CNTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 190V drain-source gerilim ve 7.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V kapı geriliminde 336mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketindeki kompakt tasarımı, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve DC-DC konvertörler gibi uygulamalarda yoğun olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 52W maksimum güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 190 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 336mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok