Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3P200SNTL1
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3P200SNTL1
RD3P200SNTL1 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RD3P200SNTL1, 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 20A sürekli drain akımı ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 46mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 150°C maksimum işletme sıcaklığında 20W güç dağıtabilir. Hızlı anahtarlama karakteristikleri ve düşük kapı yükü (55nC @ 10V) ile endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V kapı voltaj aralığı ve 2.5V eşik voltajı ile geniş uygulamalar alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok