Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3P175SNTL1
MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3P175SNTL1
RD3P175SNTL1 Hakkında
RD3P175SNTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 17.5A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-252 (DPak) paketlemesi ile surface mount montajını destekler. 105mΩ maksimum gate-source direnci (Rds On) ve 24nC gate charge ile anahtarlama uygulamalarında verimli işlem sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörler ve yük anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 8.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok