Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3P130SPTL1

MOSFET P-CH 100V 13A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3P130SP

RD3P130SPTL1 Hakkında

RD3P130SPTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 20W güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C işletme sıcaklığı ile çeşitli ortamlarda çalışabilir. ±20V gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok