Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3P130SPFRATL

MOSFET P-CH 100V 13A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3P130SP

RD3P130SPFRATL Hakkında

RD3P130SPFRATL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 13A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 200mOhm RDS(on) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş uyumluluk alanına sahiptir. 150°C maksimum jonksiyon sıcaklığında çalışabilen bu MOSFET, yüksek güvenilirlik gerektiren endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok