Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3P100SNTL1
MOSFET N-CH 100V 10A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3P100SNTL1
RD3P100SNTL1 Hakkında
RD3P100SNTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 133mΩ maximum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate threshold gerilimi 2.5V olup, ±20V gate gerilim kapsamında çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 133mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok