Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3P08BBDTL
MOSFET N-CH 100V 80A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3P08BB
RD3P08BBDTL Hakkında
RD3P08BBDTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, anahtarlama devreleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yer alır. 11.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına dayanıklıdır ve maksimum 119W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1940 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 119W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok