Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3P050SNTL1
RD3P050SNTL1 Hakkında
RD3P050SNTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç kontrol uygulamalarında kullanılır. 190mΩ RDS(on) değeri ve 150°C maksimum işletme sıcaklığıyla anahtarlama devrelerinde, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketlemesiyle kompakt PCB tasarımlarına uyumludur. ±20V gate voltajı aralığında çalışır ve 14nC gate charge değeriyle hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok