Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3P050SNFRATL

MOSFET N-CH 100V 5A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3P050SNF

RD3P050SNFRATL Hakkında

RD3P050SNFRATL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 10V gate geriliminde 190mOhm on-resistance ile karakterizedir. 150°C çalışma sıcaklığında 15W güç dağıtabilir. Gate charge değeri 14nC olup, gating uygulamaları için düşük kapasitif yükü tercih edilen tasarımlarda kullanılır. Endüstriyel kontrol, güç yönetimi, motor sürücü ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir komponenttir. Surface Mount teknolojisi ile monte edilir ve aktif üretim durumunda bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok