Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3L220SNTL1

MOSFET N-CH 60V 22A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3L220SNTL1

RD3L220SNTL1 Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen RD3L220SNTL1, 60V drain-source geriliminde 22A sürekli akım kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) yüzey monte paketiyle sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (Rds On: 26mΩ @ 22A, 10V) karakteristiğiyle güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilen ve maksimum 150°C çalışma sıcaklığına dayanabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve yüksek akımlı yük kontrolü uygulamalarında kullanılır. Hızlı anahtarlama özelliği sayesinde verimliliği arttırır ve ısıl yönetimi kolaylaştırır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 22A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok