Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3L150SNTL1

MOSFET N-CH 60V 15A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3L150

RD3L150SNTL1 Hakkında

RD3L150SNTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 15A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (40mΩ @ 15A, 10V) ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Hızlı switching, düşük kapasitans ve minimal gate charge özellikleri sayesinde motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın kullanım alanı bulur. 20W maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 930 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok