Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3L140SPTL1

MOSFET P-CH 60V 14A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3L140SPTL1

RD3L140SPTL1 Hakkında

RD3L140SPTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ve 14A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 84mΩ maksimum RDS(on) değeriyle verimli anahtarlama sağlar. 4V ve 10V gate sürücü gerilimlerinde çalışır, maksimum 20W güç dağılımı kapasitesi vardır. Endüstriyel denetim devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilim aralığında ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok