Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3L140SPFRATL

MOSFET P-CH 60V 14A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3L140SP

RD3L140SPFRATL Hakkında

RD3L140SPFRATL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 84mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Maksimum 20W güç tüketim kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile tasarlanmıştır. Gate charge değeri 27nC ve input capacitance 1900pF'dir. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, power management devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük RDS(on) değeri enerji verimliliği gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok