Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3L08BGNTL
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3L08BGNTL
RD3L08BGNTL Hakkında
RD3L08BGNTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ile 80A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulmaktadır. Düşük on-resistance değeri (5.5mOhm @ 80A, 10V) ile güç uygulamalarında verimli çalışır. Maksimum 119W güç tüketebilir ve -40°C ile +150°C arası sıcaklıklarda çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. 10V kapı sürme voltajında optimum çalışır ve 2.5V eşik voltajına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3620 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 119W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok