Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3L080SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3L080SNF
RD3L080SNFRATL Hakkında
RD3L080SNFRATL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde maksimum 80mOhm on-resistance değerine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket tipinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi aralığında çalışır ve 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında güvenli şekilde kullanılabilir. Düşük on-resistance değeri ısı kaybını minimalize ederken, 9.4nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok