Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3L07BATTL1
PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3L07BATTL1
RD3L07BATTL1 Hakkında
RD3L07BATTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET'tir. 60V drain-source voltaj derecelendirilmesi ve 70A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 12.7mOhm (10V, 70A) düşük on-direnç değeri ve 101W maksimum güç dağılımı ile verimli güç elektronikleri tasarımlarına uygundur. Surface Mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu MOSFET, sıvı kristal ekranlar, batarya yönetim sistemleri, AC/DC konvertörler ve motorlu cihazlardaki anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak yer alır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6700 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 101W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.7mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok