Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3L050SNTL1
MOSFET N-CH 60V 5A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3L050SNTL1
RD3L050SNTL1 Hakkında
RD3L050SNTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajda 109mOhm düşük on-state direnci sayesinde ısıl kayıpları minimalize eder. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur. Adım adım motor kontrolleri, DC motor sürücüleri, LED aydınlatma devreleri, güç yönetimi ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığı ve 15W güç dissipasyonu özelliği endüstriyel ortamlarda kullanımı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 109mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok