Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RD3L050SNFRATL

MOSFET N-CH 60V 5A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RD3L050SNF

RD3L050SNFRATL Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen RD3L050SNFRATL, 60V drain-source gerilim ve 5A sürekli drain akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) kasa tipi ile surface mount uygulamalarında kullanılır. 109mΩ maksimum Rds(on) değeri düşük kondüksiyon kayıpları sağlar. 290pF input kapasitesi ve 8nC gate yükü hızlı anahtarlama karakteristiğini destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve genel anahtarlama devrelerinde tercih edilir. ±20V maksimum gate-source gerilim ve 3V eşik gerilimi kontrol devrelerinin tasarımında esneklik sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 15W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 109mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok