Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3L03BATTL1
PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3L03BATTL1
RD3L03BATTL1 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RD3L03BATTL1, 60V drenaj-kaynak gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bir P-Channel Power MOSFET'tir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 41mΩ maksimum RDS(on) direnciyle düşük güç kaybı sağlar. Maksimum 56W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Şasi sıcaklığında 150°C'ye kadar çalışabilir. Gate yükü (37nC @ 10V) ve giriş kapasitansı (1930pF @ 30V) özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. ±20V gate-kaynak gerilimi aralığında çalışır ve 2.5V eşik gerilimini sunar. Güç elektronik uygulamaları, anahtarlama devreleri ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1930 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 56W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok