Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3L01BATTL1
PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3L01BATTL1
RD3L01BATTL1 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen RD3L01BATTL1, 60V drain-source voltajına ve 10A sürekli drenaj akımına kapasite sahip P-Channel Power MOSFET'tir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 84mΩ maksimum on-resistance değeriyle düşük enerji kaybı sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bileşen, 26W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan bu MOSFET, 4.5V ve 10V gate drive voltajlarında optimize edilmiştir. 2.5V threshold voltajı hızlı bir düşük-seviye tetikleme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 26W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 84mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok