Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RD3H200SNTL1
RD3H200SNTL1 Hakkında
RD3H200SNTL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 45V Vdss ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanan bu transistör, TO-252 (DPak) kılıf tipinde sunulmaktadır. 28mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate voltajında optimize edilmiş bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüler, anahtarlama uygulamaları ve doğru/ters akım kontrolü gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında ve 20W maksimum güç kayıpında stabil performans sunar. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren tasarımlar için surface mount montajı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok